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一．设备的主要用途、功能及特点
主要应用于半导体/光电/光伏材料（单晶/多晶硅片/硅锭及铜铟镓硒薄膜）的工艺控制及测试手段。通过测量少子寿命，可分析薄膜制备过程引入的缺陷复合及光电导率的变化。仪器主要功能是借助微波光电导衰减法及准稳态光电导法分析半导体材料内表面复合效应等缺陷情况及材料的电学传导性能，进而为判断材料性能优劣和优化实验设计提供科学依据。
二．技术参数及指标（带*者为必须具备指标） 1、测量技术 *1.1设备采用微波探测光电导衰减技术。 *1.2提供稳态和非稳态两种测量模式，应能够测量CIGS、单晶硅、多晶硅等材料少子寿命及光电导率；
1.3在同一测量模式下应能够同时得到少子寿命和光电导率数据。 2、软件 *2.1采用MDPmap软件，有F&E模式（高灵活性的测量参数调整）和操作者模式（快速的标准测量选项）两种模式，参数自动设定；
*2.2 可灵活配置多种选项，实现多功能测试：例如电阻率扫描测量、光致诱导电流LBIC扫描测量、多模式/多注入水平测试等；
*2.3 可打印的输出显示包括了少子寿命、光电导率的扫描图，包括x-y坐标、柱状图和瞬时图；
2.4 软件能够计算整个样品的平均值和标准误差。
2.5 可调用原始数据，样品尺寸、边缘、激光波长和功率等信息均可显示。
*3、有铜铟镓硒材料的实测数据，可提供用户应用实例及反馈信息。
4、激发光源
*4.1 激光激发光源，波长980 nm，激发功率500 ~ 5000 mW，等幅波，单模；
*4.2 激发功率: 550 mW（缺省值），激光光源的激发功率、脉冲时间等可调节。
*5、能真实模拟太阳光强度进行测量，可实现小注入水平测试，能探测到样品的微小损伤和缺陷。
6、测量点:缺省直径0.5 mm，软件控制可调测量点尺寸。
*7、最小样品光斑直径≤0.25 mm。
*8、测量精度。少子寿命、光电导率测量的准确度（3 Sigma）≤ 3%。
*9、测量误差。少子寿命、光电导率测量的重复精度≤ ± 1%。
*10、测量范围。少子寿命测量范围可达到0.1us～100ms。 11、可测量p型和n型半导体。 12、样品尺寸：5×5 mm2～210×210 mm2。 *13、电阻率测量范围：0.1～103 Ohm·cm。 14、电源要求：110/230 V, 50/60 Hz, 3 A； 15、控制及数据处理：惠普PC机控制，配置：CPU≥ 3.4GHz, 内存≥4 GB，硬盘≥500G，Windows 7操作系统，USB数据传送。
三．仪器配置 1、样品台，手动更换、装载样品 2、带振荡器、混频器的微波分光计 3、带微波探测器的测量头 4、激光激发光源，波长980 nm，激发功率500 ~ 5000 mW，等幅波，单模 5、高分辨率瞬态分析 6、光学、透镜系统 7、基于微控制器的数据评估 8、电源：110/230 V, 50/60 Hz, 3 A 四．软件与数据库： 升级版MDPmap测量软件，包括的评估选项：
1、少子寿命（绝对值）
2、光电导率（相对值）
3、统计数据的柱状图
4、测量参数的数据库 五.技术服务
1、仪器到货后, 买方在收到货物后一周内电话或者邮件方式通知卖方，卖方在得到买方通知五个工作日内, 将派技术人员到买方所在地安装、调试仪器.
2、厂家提供至少2名用户管理人员的现场操作使用及基本维护的免费培训。
3、仪器保修期为一年，保修期从验收合格之日起开始计算。接到用户维修邀请后，24小时内电话响应，若需现场维修，3个工作日现场响应。
4、保修期内，卖方负责免费更换有故障的零、部件(消耗品，光学元件等除外)。但对于买方自己操作维护不当或不可抗拒的自然灾害所造成的损坏，卖方可收取一定的维修费用。
5、保修期外，卖方提供免费的不定期回访，在设备出现故障后若可以现场解决问题，则不收取任何费用；若需要购置配件做维修，按成本价格收取零配件费用，免收人工费、差旅费及工时费。
六. 目的港：包装适合长途运输、包装材料必须符合中国有关动植物检验检疫规证明文件齐全，符合中国海关的入关要求。运输方式：空运到中国郑州机场。交货地点：河南大学金明校区指定地点。 七.交货时间：合同生效后3个月内。 |
